HBM3E 대비 대역폭 2배 확대, 전력 효율 40% 향상 실현
10Gbps 이상 동작 속도로 JEDEC 표준 8Gbps 초과 달성
어드밴스드 MR-MUF 공정과 1bnm D램 기술로 양산 리스크 최소화
![SK하이닉스 HBM4 [SK하이닉스 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202509/232991_241153_4758.jpg)
SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장의 '게임 체인저'로 주목받는 HBM4 개발을 완료하고, 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.
HBM4는 기존 HBM3E 대비 획기적인 성능 향상을 달성했다. 데이터 전송 통로를 기존 1024개에서 2048개로 2배 늘려 대역폭을 2배로 확대했으며, 전력 효율은 40% 이상 개선했다. 현재 AI 인프라가 직면한 데이터 병목 현상과 막대한 전력 소비라는 두 가지 핵심 과제를 동시에 해결할 기술적 돌파구가 확보된 것이다.
동작 속도도 10Gbps 이상으로 높여 업계 최고 수준 기술력을 입증했다. 이는 국제반도체표준협의기구인 JEDEC이 정한 HBM4 표준 동작 속도 8Gbps를 크게 웃도는 수준이다. 회사 측은 이 제품을 고객 시스템에 도입할 경우 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있다고 밝혔다.
SK하이닉스는 이번 HBM4 개발에 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대인 1bnm D램 기술을 적용했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 후 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정으로, 기존 필름형 소재를 사용하는 방식보다 공정 효율성과 열 방출 측면에서 우수하다. SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어를 향상시켜 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심 역할을 수행한다.
![SK하이닉스 HBM4 [SK하이닉스 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202509/232991_241154_4820.jpg)
AI 기술 발전과 함께 HBM 시장은 급속도로 성장하고 있다. 생성형 AI와 대규모 언어 모델(LLM)의 확산으로 데이터 처리량이 기하급수적으로 증가하면서, 고성능 메모리에 대한 수요가 폭발적으로 늘어나고 있다. 동시에 데이터 센터 운영 비용의 상당 부분을 차지하는 전력 소비를 줄이는 것도 업계의 중요한 과제로 부상했다.
조주환 SK하이닉스 부사장은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했다.
김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장은 "이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품"이라며 "당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다"고 포부를 밝혔다.
