한빛레이저의 주가가 주식시장에서 강세를 시현하고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 최근 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행한다는 소식이 영향을 주는 것으로 풀이된다.
한빛레이저는 반도체 공정의 소형화와 집적화에 따라 기판의 두께가 얇아지는 점에 주목하며 패키지의 적층화에 대응하기 위해 '4 kW 사각빔 광원'을 개발하고 있다.
11일 주식시장과 반도체업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 웨이퍼 공정 기술 전환에 나섰다. 웨이퍼 휨을 방지하기 위한 신기술 도입이 골자로, 차세대 HBM을 겨냥한 것으로 해석된다. 공정 전환에 따른 소재와 장비 공급망 변화도 예상된다.
삼성전자와 SK하이닉스는 최근 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행 중이다. 웨이퍼 디본딩은 공정 중 얇아진 웨이퍼를 휘지 않게 부착한 임시 웨이퍼(글래스 소재 캐리어 웨이퍼)를 분리하는 작업이다.
특히 웨이퍼 디본딩은 블레이드(칼날)라 불리는 부품을 통해 진행됬으나, HBM 경우 12단ㆍ16단처럼 적층 수가 늘면서 웨이퍼가 보다 얇아져 칼날로 분리하는 데 한계에 직면했다. 30마이크로미터(㎛)보다 웨이퍼가 얇아져 훼손이 우려돼서다. 회로를 새기기 위한 식각ㆍ연마ㆍ배선 등 공정 수가 늘고, 초고온 환경에 따른 새로운 접착제가 필요한 것도 양사가 기존 메카니컬 방식 대신 레이저를 쓰려는 이유다.
삼성전자와 SK하이닉스는 엑시머 레이저와 자외선(UV) 레이저 등 다양한 방식을 검토하고 있다. 레이저 디본딩은 HBM4 16단부터 도입이 유력하다. HBM4는 적층한 D램 메모리 가장 하단에 시스템 반도체 기반 '베이스 다이'가 적용되는데, 보다 미세한 공정과 얇은 웨이퍼가 필요한 만큼 레이저 방식이 적합한 것으로 전해진다.
레이저 적용 시 관련 소재ㆍ장비 공급망 변화도 불가피하다. 기존 메카니컬 방식은 일본 도쿄일렉트론(TEL)과 독일 수스마이크테크가 1ㆍ2위업체로 시장 장악하고 있다. 레이저 방식은 보다 많은 장비업체가 진입할 수 있는 상황이라 주도권 쟁탈전에 치열해질 전망이다. 해외 뿐 아니라 국내 기업들도 시장 참전을 대비하고 있다.
이에 반도체 공정의 소형화와 집적화에 대응하기 위한 목적으로 '대면적 레이저 리플로우용 사각빔 광원'을 연구개발 중인 한빛레이저가 기대감을 모으는 모습이다.
한빛레이저의 분기보고서에 따르면 반도체 공정의 소형화와 집적화에 대응하기 위한 목적으로 연구과제명 '4kW 사각빔 광원'을 연구개발 중이다.
한빛레이저는 스팩 합병으로 증시에 상장한 레이저 기기 전문 기업이다. 특히 고출력 산업용 레이저 기술을 최초로 국산화에 성공했다. 주요 제품은 레이저 웰딩 장비, 커팅 장비, 표면처리 장비로, 주요 고객사를 통해 2차전지, 자동차, 반도체 선두 기업에 공급하고 있다.
