김경륜 HBM 담당 상무 삼성전자 뉴스룸 기고문
"고객별 최적화된 '맞춤형 HBM' 시장 주도할 것"
![김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 반도체 뉴스룸 기고를 통해 "삼성전자는 지난 2016년 업계 최초로 고성능컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하면서 인공지능(AI)용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다"고 설명했다. [삼성전자 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202405/204534_206012_1818.jpg)
"2016년부터 올해까지 예상되는 고대역폭메모리(HBM) 매출은 100억 달러(약 13조8200억원)가 넘을 것으로 전망됩니다.”
김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 반도체 뉴스룸 기고문을 통해 "삼성전자는 지난 2016년 업계 최초로 고성능컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하면서 인공지능(AI)용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다"며 이같이 강조했다.
반도체를 담당하는 DS부문은 올해 1분기 1조9100억원의 영업이익을 올리며 5분기 만에 흑자를 냈다. 이 같은 적자 탈출에는 AI 호황으로 인한 HBM의 판매 증대가 효자 노릇을 했다.
삼성전자는 AI 시장 확대로 급격히 성장하고 있는 HBM 시장에서 종합 반도체 역량을 활용해 고객별로 최적화된 '맞춤형 HBM'로 주도권 확보에 나선다는 계획이다.
![HBM3E 12H D램 제품 이미지. [삼성전자 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202405/204534_206013_1858.jpg)
김 상무는 “올해 하반기는 HBM 공급 개선으로 인공지능(AI) 서버 확산이 가속화할 뿐만 아니라 일반(Conventional) 서버와 스토리지 수요까지 증가하는 선순환이 뚜렷하게 나타날 것”이라며 “삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 생산능력(캐파) 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것”이라고 설명했다.
김 상무는 5세대 HBM인 HBM3E 8단 제품에 관해 "지난달부터 양산에 들어갔으며, 업계 내 고용량 제품에 대한 고객 니즈 증가세에 발맞춰 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정으로 램프업(생산량 확대) 또한 가속화할 계획"이라고 밝혔다. 이어 "앞으로 삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것"이라고 부연했다.
특히 김 상무는 "AI 반도체 시장에서 메모리 반도체는 더이상 범용 제품이 아니다"라고 정의했다. 이어 그는 "HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스템온칩(SoC)과의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있댜"며 "이는 HBM 개발·공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징·품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화·최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다”고 덧붙였다.
![삼성전자가 12단 고대역폭메모리(HBM)로 인공지능(AI) 메모리 시장의 주도권을 되찾고, 시장을 선도하겠다는 포부를 드러냈다. [삼성전자 뉴스룸 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202405/204534_206014_1924.png)
이런 전 세계적인 추세에 따라 삼성전자는 차세대 HBM 기술의 초격차를 위해 '종합 반도체' 역량을 활용한다는 계획이다. 김 상무는 "삼성전자는 차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드 패키징(AVP)의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
삼성전자는 이를 위해 올해 초부터 각 사업부의 우수 엔지니어들을 한데 모아 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화를 위한 연구·개발에 박차를 가하고 있다. 김 상무는 "삼성전자는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 예정"이라고 말했다.
아울러 김 상무는 “삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노미터(nm) 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT·Vertical Channel Transistor)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구·개발을 진행하고 있다"며 "오는 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획"이라고 했다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 지금처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 용량을 키운 제품이다.
![경계현 삼성전자 사장. [기획재정부 제공]](https://cdn.financialpost.co.kr/news/photo/202405/204534_206015_1937.jpg)
김 상무는 또한 "기존 저전력 LPDDR D램 대비 고대역폭을 갖고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(저지연성와이드 I/O·Low Latency Wide I/O) D램을 개발 중에 있다"며 "또 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리 생태계 구축을 위해 제품 개발과 사업 협력을 선도하고 있다"고 했다.
앞서 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)도 지난달 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 "많은 고객이 병목 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 커스텀(맞춤형) HBM4를 개발하고 싶어 한다"며 "고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것"이라고 자신감을 내비친 바 있다.
